抑制性突触后电位

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　　突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位（1PSP）。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使盾膜上的配体门控cl-通道开放，引起cl-内流，突触后膜发生超极化。此外，IPSP的形成还可能与突触后膜K+通道的开放或Na+、Ca2+通道的关闭有关。